Infineon Technologies - IPW60R045CPAFKSA1

KEY Part #: K6408492

IPW60R045CPAFKSA1 Preços (USD) [6365pcs Estoque]

  • 1 pcs$6.47320
  • 240 pcs$5.93869

Número da peça:
IPW60R045CPAFKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R045CPAFKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPW60R045CPAFKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
Series : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6800pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 431W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO247-3
Pacote / caso : TO-247-3

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