[8450pcs Estoque]
- Número da peça:
- IXFH35N30Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 300V 35A TO247AD.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFH35N30Q electronic components. IXFH35N30Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH35N30Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFH35N30Q Atributos do produto
Número da peça :
IXFH35N30Q
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 300V 35A TO247AD
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
200nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4800pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso :
TO-247-3
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