Diodes Incorporated - DMN61D9UWQ-13

KEY Part #: K6416439

DMN61D9UWQ-13 Preços (USD) [1549137pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.02388

Número da peça:
DMN61D9UWQ-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN61D9UWQ-13 Atributos do produto

Número da peça : DMN61D9UWQ-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 400mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 28.5pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 440mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-323
Pacote / caso : SC-70, SOT-323