ON Semiconductor - FDB1D7N10CL7

KEY Part #: K6395373

FDB1D7N10CL7 Preços (USD) [12273pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.35783

Número da peça:
FDB1D7N10CL7
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
FET 100V 1.7 MOHM D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ON Semiconductor FDB1D7N10CL7 electronic components. FDB1D7N10CL7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB1D7N10CL7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB1D7N10CL7 Atributos do produto

Número da peça : FDB1D7N10CL7
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 268A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.65 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 700µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 163nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 11600pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 250W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263)
Pacote / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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