CSD25304W1015 Preços (USD) [479105pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07720
- 3,000 pcs$0.06755
- Número da peça:
- CSD25304W1015
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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CSD25304W1015 Atributos do produto
Número da peça :
CSD25304W1015
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.15V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
595pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
750mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-DSBGA
Pacote / caso :
6-UFBGA, DSBGA
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