IPW60R099CPAFKSA1 Preços (USD) [13884pcs Estoque]
- 1 pcs$2.96832
- 240 pcs$2.72331
- Número da peça:
- IPW60R099CPAFKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 31A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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IPW60R099CPAFKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPW60R099CPAFKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
Series :
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
31A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
255W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO247-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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