UPA2815T1S-E2-AT Preços (USD) [216534pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17940
- 5,000 pcs$0.17850
- Número da peça:
- UPA2815T1S-E2-AT
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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UPA2815T1S-E2-AT Atributos do produto
Número da peça :
UPA2815T1S-E2-AT
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1760pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-HWSON (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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