NTB082N65S3F Preços (USD) [19405pcs Estoque]
- 1 pcs$2.12375
- Número da peça:
- NTB082N65S3F
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- SUPERFET3 650V D2PAK PKG.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTB082N65S3F electronic components. NTB082N65S3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTB082N65S3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTB082N65S3F Atributos do produto
Número da peça :
NTB082N65S3F
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Series :
SuperFET® III
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
82 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3410pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
313W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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