IXTY1R6N100D2 Preços (USD) [40837pcs Estoque]
- 1 pcs$1.05361
- 10 pcs$0.95285
- 100 pcs$0.76575
- 500 pcs$0.59558
- 1,000 pcs$0.49348
- Número da peça:
- IXTY1R6N100D2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IXTY1R6N100D2 Atributos do produto
Número da peça :
IXTY1R6N100D2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
645pF @ 25V
Recurso FET :
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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