Microchip Technology - VN2210N3-G

KEY Part #: K6399432

VN2210N3-G Preços (USD) [48963pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.81111
  • 25 pcs$0.67615
  • 100 pcs$0.61461

Número da peça:
VN2210N3-G
Fabricante:
Microchip Technology
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VN2210N3-G Atributos do produto

Número da peça : VN2210N3-G
Fabricante : Microchip Technology
Descrição : MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.2A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 740mW (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-92-3
Pacote / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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