Diodes Incorporated - DMG4712SSS-13

KEY Part #: K6403448

DMG4712SSS-13 Preços (USD) [244308pcs Estoque]

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Número da peça:
DMG4712SSS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4712SSS-13 Atributos do produto

Número da peça : DMG4712SSS-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 45.7nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2296pF @ 15V
Recurso FET : Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.) : 1.55W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)