FDD7N60NZTM Preços (USD) [144590pcs Estoque]
- 1 pcs$0.25581
- 2,500 pcs$0.20099
- Número da peça:
- FDD7N60NZTM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDD7N60NZTM electronic components. FDD7N60NZTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD7N60NZTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD7N60NZTM Atributos do produto
Número da peça :
FDD7N60NZTM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
Series :
UniFET-II™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
730pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
90W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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