Infineon Technologies - BSO080P03SHXUMA1

KEY Part #: K6419674

BSO080P03SHXUMA1 Preços (USD) [124569pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.29692

Número da peça:
BSO080P03SHXUMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Infineon Technologies BSO080P03SHXUMA1 electronic components. BSO080P03SHXUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO080P03SHXUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSO080P03SHXUMA1 Atributos do produto

Número da peça : BSO080P03SHXUMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 136nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5890pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.79W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : P-DSO-8
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Você também pode estar interessado em