SPB18P06PGATMA1 Preços (USD) [161296pcs Estoque]
- 1 pcs$0.22931
- Número da peça:
- SPB18P06PGATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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SPB18P06PGATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
SPB18P06PGATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
860pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
81.1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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