Infineon Technologies - IRFR3708TRRPBF

KEY Part #: K6420017

IRFR3708TRRPBF Preços (USD) [151819pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.24363
  • 3,000 pcs$0.23388

Número da peça:
IRFR3708TRRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR3708TRRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFR3708TRRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 61A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2417pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 87W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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