Nexperia USA Inc. - PSMN4R6-60BS,118

KEY Part #: K6419164

PSMN4R6-60BS,118 Preços (USD) [95270pcs Estoque]

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  • 800 pcs$0.41042

Número da peça:
PSMN4R6-60BS,118
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN4R6-60BS,118 Atributos do produto

Número da peça : PSMN4R6-60BS,118
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 70.8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4426pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 211W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB