Infineon Technologies - AUIRFZ24NSTRL

KEY Part #: K6419069

AUIRFZ24NSTRL Preços (USD) [89910pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.43489
  • 800 pcs$0.37791

Número da peça:
AUIRFZ24NSTRL
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFZ24NSTRL Atributos do produto

Número da peça : AUIRFZ24NSTRL
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 370pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-PAK (TO-252AA)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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