Vishay Siliconix - SQ1440EH-T1_GE3

KEY Part #: K6421304

SQ1440EH-T1_GE3 Preços (USD) [431769pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.07283

Número da peça:
SQ1440EH-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ1440EH-T1_GE3 Atributos do produto

Número da peça : SQ1440EH-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 344pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.3W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-70-6
Pacote / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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