FDMS4D0N12C Preços (USD) [29645pcs Estoque]
- 1 pcs$1.39026
- Número da peça:
- FDMS4D0N12C
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- PTNG 120V N-FET PQFN56.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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FDMS4D0N12C Atributos do produto
Número da peça :
FDMS4D0N12C
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
PTNG 120V N-FET PQFN56
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18.5A (Ta), 114A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 370A
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6460pF @ 60V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.7W (Ta), 106W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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