TPH3206PSB Preços (USD) [9167pcs Estoque]
- 1 pcs$4.79922
- 10 pcs$4.31930
- 100 pcs$3.55143
- 500 pcs$2.97552
- Número da peça:
- TPH3206PSB
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrição detalhada:
- GANFET N-CH 650V 16A TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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TPH3206PSB Atributos do produto
Número da peça :
TPH3206PSB
Fabricante :
Transphorm
Descrição :
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
16A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±18V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 480V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
81W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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