IRFBC30APBF Preços (USD) [55732pcs Estoque]
- 1 pcs$1.48957
- 10 pcs$1.34369
- 100 pcs$1.02447
- 500 pcs$0.79680
- 1,000 pcs$0.66020
- Número da peça:
- IRFBC30APBF
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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IRFBC30APBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFBC30APBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
510pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
74W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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