Microchip Technology - LND150N3-G-P014

KEY Part #: K6393055

LND150N3-G-P014 Preços (USD) [238940pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.15859
  • 2,000 pcs$0.15780

Número da peça:
LND150N3-G-P014
Fabricante:
Microchip Technology
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LND150N3-G-P014 Atributos do produto

Número da peça : LND150N3-G-P014
Fabricante : Microchip Technology
Descrição : MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30mA (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 10pF @ 25V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 740mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-92-3
Pacote / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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