Nexperia USA Inc. - PMZ1000UN,315

KEY Part #: K6421629

PMZ1000UN,315 Preços (USD) [1163201pcs Estoque]

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  • 10,000 pcs$0.08483

Número da peça:
PMZ1000UN,315
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH SOT883.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMZ1000UN,315 Atributos do produto

Número da peça : PMZ1000UN,315
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH SOT883
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 480mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.89nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 43pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 350mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN1006-3
Pacote / caso : SC-101, SOT-883