BSS83PH6327XTSA1 Preços (USD) [820866pcs Estoque]
- 1 pcs$0.04506
- 3,000 pcs$0.03019
- Número da peça:
- BSS83PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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BSS83PH6327XTSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSS83PH6327XTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
330mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 330mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 80µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
3.57nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
78pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
360mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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