Diodes Incorporated - DMNH4006SK3Q-13

KEY Part #: K6393797

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Número da peça:
DMNH4006SK3Q-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 20A TO252.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMNH4006SK3Q-13 Atributos do produto

Número da peça : DMNH4006SK3Q-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 40V 20A TO252
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Ta), 140A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 86A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (máx.) : 20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2280pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.2W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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