FQI8N60CTU Preços (USD) [89832pcs Estoque]
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- 1,000 pcs$0.32437
- Número da peça:
- FQI8N60CTU
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQI8N60CTU electronic components. FQI8N60CTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQI8N60CTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQI8N60CTU Atributos do produto
Número da peça :
FQI8N60CTU
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1255pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK (TO-262)
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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