Diodes Incorporated - DMN65D8LQ-13

KEY Part #: K6416382

DMN65D8LQ-13 Preços (USD) [2914348pcs Estoque]

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Número da peça:
DMN65D8LQ-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN65D8LQ-13 Atributos do produto

Número da peça : DMN65D8LQ-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 60V SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 310mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.87nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 370mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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