Toshiba Semiconductor and Storage - TPH8R80ANH,L1Q

KEY Part #: K6416417

TPH8R80ANH,L1Q Preços (USD) [128463pcs Estoque]

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Número da peça:
TPH8R80ANH,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH8R80ANH,L1Q Atributos do produto

Número da peça : TPH8R80ANH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Series : U-MOSVIII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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