Diodes Incorporated - ZXMN2A02X8TA

KEY Part #: K6398009

ZXMN2A02X8TA Preços (USD) [91686pcs Estoque]

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  • 10 pcs$0.37587
  • 100 pcs$0.27266

Número da peça:
ZXMN2A02X8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN2A02X8TA Atributos do produto

Número da peça : ZXMN2A02X8TA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-MSOP
Pacote / caso : 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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