RD3H045SPFRATL Preços (USD) [186282pcs Estoque]
- 1 pcs$0.19856
- Número da peça:
- RD3H045SPFRATL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- RD3H045SPFRA IS A POWER MOSFET W.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
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RD3H045SPFRATL Atributos do produto
Número da peça :
RD3H045SPFRATL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
RD3H045SPFRA IS A POWER MOSFET W
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
45V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
550pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
15W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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