FQD5P10TM Preços (USD) [250263pcs Estoque]
- 1 pcs$0.14779
- 2,500 pcs$0.14073
- Número da peça:
- FQD5P10TM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQD5P10TM electronic components. FQD5P10TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD5P10TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQD5P10TM Atributos do produto
Número da peça :
FQD5P10TM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.2nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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