ON Semiconductor - FDB0170N607L

KEY Part #: K6394316

FDB0170N607L Preços (USD) [26108pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.58648
  • 800 pcs$1.57858

Número da peça:
FDB0170N607L
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ON Semiconductor FDB0170N607L electronic components. FDB0170N607L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB0170N607L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB0170N607L Atributos do produto

Número da peça : FDB0170N607L
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 300A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 243nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 19250pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263)
Pacote / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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