IRFI830G Preços (USD) [26870pcs Estoque]
- 1 pcs$1.54148
- 1,000 pcs$1.53381
- Número da peça:
- IRFI830G
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFI830G electronic components. IRFI830G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI830G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFI830G Atributos do produto
Número da peça :
IRFI830G
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
610pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
35W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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