RQ1C075UNTR Preços (USD) [403109pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09176
- 3,000 pcs$0.08294
- Número da peça:
- RQ1C075UNTR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
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RQ1C075UNTR Atributos do produto
Número da peça :
RQ1C075UNTR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TSMT8
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
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