STMicroelectronics - STP11NM60FD

KEY Part #: K6397428

STP11NM60FD Preços (USD) [38557pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.01917
  • 1,000 pcs$1.01410

Número da peça:
STP11NM60FD
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP11NM60FD Atributos do produto

Número da peça : STP11NM60FD
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
Series : FDmesh™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 160W (Tc)
Temperatura de operação : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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