PMPB23XNEAX Preços (USD) [540054pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06849
- Número da peça:
- PMPB23XNEAX
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- PMPB23XNEA/SOT1220/SOT1220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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PMPB23XNEAX Atributos do produto
Número da peça :
PMPB23XNEAX
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
PMPB23XNEA/SOT1220/SOT1220
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
0.9V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1.136nF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DFN2020MD-6
Pacote / caso :
6-UDFN Exposed Pad
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