FDD6630A Preços (USD) [352060pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10506
- 2,500 pcs$0.10007
- Número da peça:
- FDD6630A
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDD6630A electronic components. FDD6630A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD6630A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD6630A Atributos do produto
Número da peça :
FDD6630A
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
462pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
28W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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