ON Semiconductor - NVD5806NT4G

KEY Part #: K6420198

[303312pcs Estoque]


    Número da peça:
    NVD5806NT4G
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 40V DPAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NVD5806NT4G Atributos do produto

    Número da peça : NVD5806NT4G
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 40V DPAK
    Series : -
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 33A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 860pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 40W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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