IXYS - IXFH120N25T

KEY Part #: K6394799

IXFH120N25T Preços (USD) [10182pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.47436
  • 60 pcs$4.45210

Número da peça:
IXFH120N25T
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 120A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH120N25T Atributos do produto

Número da peça : IXFH120N25T
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 250V 120A TO-247
Series : HiPerFET™, TrenchT2™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 11300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 890W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso : TO-247-3