IXTA1R6N100D2 Preços (USD) [47959pcs Estoque]
- 1 pcs$0.90131
- 50 pcs$0.89682
- Número da peça:
- IXTA1R6N100D2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
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IXTA1R6N100D2 Atributos do produto
Número da peça :
IXTA1R6N100D2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
645pF @ 25V
Recurso FET :
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (IXTA)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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