Infineon Technologies - IRF7749L1TRPBF

KEY Part #: K6417883

IRF7749L1TRPBF Preços (USD) [44701pcs Estoque]

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Número da peça:
IRF7749L1TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7749L1TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF7749L1TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 33A (Ta), 200A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 120A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 12320pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET L8
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric L8

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