ON Semiconductor - FDBL86062-F085

KEY Part #: K6397583

FDBL86062-F085 Preços (USD) [33310pcs Estoque]

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Número da peça:
FDBL86062-F085
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 300A 8-HPSOF.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDBL86062-F085 Atributos do produto

Número da peça : FDBL86062-F085
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 300A 8-HPSOF
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 300A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 124nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6970pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 429W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HPSOF
Pacote / caso : 8-PowerSFN

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