IPSA70R950CEAKMA1 Preços (USD) [108745pcs Estoque]
- 1 pcs$0.34013
- 1,500 pcs$0.12495
- Número da peça:
- IPSA70R950CEAKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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IPSA70R950CEAKMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPSA70R950CEAKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
328pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
94W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO251-3-347
Pacote / caso :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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