[3266pcs Estoque]
- Número da peça:
- IPB04N03LAT
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPB04N03LAT electronic components. IPB04N03LAT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB04N03LAT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB04N03LAT Atributos do produto
Número da peça :
IPB04N03LAT
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 60µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3877pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
107W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-3-2
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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