DMNH6011LK3Q-13 Preços (USD) [110319pcs Estoque]
- 1 pcs$0.33528
- Número da peça:
- DMNH6011LK3Q-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMNH6011LK3Q-13 electronic components. DMNH6011LK3Q-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMNH6011LK3Q-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMNH6011LK3Q-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMNH6011LK3Q-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
49.1nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3077pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.6W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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