TK39J60W,S1VQ Preços (USD) [9590pcs Estoque]
- 1 pcs$4.72871
- 25 pcs$3.87569
- 100 pcs$3.49762
- 500 pcs$2.93043
- Número da peça:
- TK39J60W,S1VQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W,S1VQ electronic components. TK39J60W,S1VQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK39J60W,S1VQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK39J60W,S1VQ Atributos do produto
Número da peça :
TK39J60W,S1VQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
38.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 1.9mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4100pF @ 300V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
270W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P(N)
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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