[1295pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRLU8259PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 57A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLU8259PBF electronic components. IRLU8259PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLU8259PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLU8259PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRLU8259PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
57A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.7 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 13V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
48W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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