CSD18537NQ5AT Preços (USD) [163498pcs Estoque]
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- 250 pcs$0.24880
- 500 pcs$0.21987
- 750 pcs$0.19210
- 1,250 pcs$0.17358
- Número da peça:
- CSD18537NQ5AT
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 50A 8SON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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CSD18537NQ5AT Atributos do produto
Número da peça :
CSD18537NQ5AT
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1480pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.2W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-VSONP (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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