BSP613PH6327XTSA1 Preços (USD) [162124pcs Estoque]
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- Número da peça:
- BSP613PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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BSP613PH6327XTSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSP613PH6327XTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
875pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT223-4
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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