IXYS - IXTP24P085T

KEY Part #: K6398113

IXTP24P085T Preços (USD) [50279pcs Estoque]

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Número da peça:
IXTP24P085T
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 85V 24A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP24P085T Atributos do produto

Número da peça : IXTP24P085T
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET P-CH 85V 24A TO-220
Series : TrenchP™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 85V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2090pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 83W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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